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  • 检验RF功率晶体万博手机客户端管耐用性测试方案

    2019-05-17 06:09来源:未知

      比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比(VSWR)的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗?这种耐用性适用于哪些类型的应用?本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。

      众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此,将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时,它的输出功率有很大一部分会被反射进器件,此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时,重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件,因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。

      晶体管耐用性测试通常涉及在测试过程中可能变也可能不变的三个电气参数:输入功率,施加到待测晶体管的直流偏置以及提供给待测器件的负载阻抗。在有些情况下,晶体管制造商可能使用固定(标称)值的输入功率和器件偏置,并改变负载失配阻抗。虽然这样的测试表明器件可以在这些特定条件下正常工作,但并不能深入了解器件在面临现实条件时会发生什么情况,因为在现实条件下所有三个参数都可能同时发生变化。

      对某些器件来说,耐用性测试包括在正常工作条件下建立基准性能水平,将器件置于应力条件下(如严重的负载失配)工作然后将其恢复到基准工作条件下,以测试性能下降的水平。在第二次基准测试中如果输出功率或直流参数下降幅度达20%以上,通常就意味着器件的失效。

      VSWR一般作为品质因数用来表示负载失配的程度。例如,当负载失配程度相当于5.0:1的VSWR时,晶体管约一半的输出功率将被反射回器件。当负载失配程度达到20.0:1的VSWR时,晶体管输出功率的约80%将被反射回器件,并且必须以热量形式消散掉。这些VSWR值处于多种不同的失配水平之间,用于表征射频功率晶体管为“耐用的”器件。

      为理解认证一款射频功率晶体管为耐用器件时有何需求,比较一些例子可能会有帮助。万博手机客户端,耐用性要求通常由应用来定义。对于长距离的雷达系统来说,比如UHF气候雷达,天线上结冰可能引起严重的负载失配状态,其负载VSWR可达10.0:1或更高。例如,意法半导体公司(ST)提供的多款N沟道增强型横向MOSFET可工作在VSWR达20.0:1的负载严重失配条件下。型号为STEVAL-TDR016V1的器件是为频率从155MHz至165MHz的VHF航海频段设计的,可在+20VDC电源下提供30W的连续波输出功率。该器件能够提供14.7dB的功率增益和至少60%的效率。意法半导体还提供多款更高频率的“耐用型”晶体管,这些晶体管可以处理VSWR为20.0:1甚至更高的负载失配情况,不过输出功率电平会低许多。

      对于目前市场上的几款器件来说,20.0:1VSWR额定值甚至可能有些保守了。例如,恩智浦半导体公司(NXP)至少有一款大功率器件可以承受VSWR为65.0:1甚至更高的负载失配,而飞思卡尔半导体(Freescale)正在交付的一系列器件也能在VSWR为65.0:1或更高的负载失配条件下正常工作。这两种器件都是硅LDMOS晶体管。

      NXP在去年于美国马里兰州巴尔的摩市举行的IEEEMTT-S国际微波大会(IMS2011)上就发布了型号为BLF578XR的首款耐用型晶体管。ClassABmodelBLF578XR是该公司的流行型号BLF578晶体管的耐用版本,适用于广播和ISM频段应用,并可以匹配从高频至500MHz的应用。在100μs脉宽和20%脉冲占空比时,工作在225MHz的BLF578XR可以提供1400W的峰值脉冲输出功率。该器件在这些条件下还能达到24dB的功率增益和71%的典型漏极效率,并具有集成的静电放电(ESD)保护功能。另外,BLF578XR在108MHz、连续波状态下可提供1200W的额定输出功率。

      为证明BLF578XR是“耐用性”晶体管,将其工作频率调整到225MHz,所有相位的负载VSWR等于65.0:1,漏-源极电压设置为+50VDC,测得的静态漏极电流为40mA,进入负载的脉冲式输出功率为1200W。显然,除了半导体裸片的功能外,封装对于允许该器件在如此严重失配条件下工作也起着重要作用。该产品采用安装凸缘的陶瓷封装,在+125℃时从结点到外壳的热阻典型值为0.14K/W,在+125℃时从结点到外壳的瞬时热阻典型值为0.04K/W,因此有助于防止在严重失配条件下因反射的输出功率而导致的热量堆积。

      飞思卡尔半导体目前自称拥有最多种类的“耐用型”硅LDMOS射频功率晶体管,该公司在认证其具有相同脉冲和连续波输出功率额定值器件时的做法非常独特,所有器件都要通过负载失配程度相当于65.0:1的VSWR或更高条件下的测试,通过测试的器件不能有损坏或性能下降。这组器件范围从型号为MRFE6VP61K25HR6的最大功率增强型LDMOS晶体管(见图)——额定脉冲式峰值输出功率为1250W(工作频率为230MHz,脉宽100μs,占空比20%),到125W输出功率的MRF6VP8600HR6型号——主要用于从470MHz至860MHz的广播级模拟与数字电视发射机。处于两者之间的MRFE6VP5600HR6是一款LDMOS功率晶体管,可以在从1.8MHz至600MHz范围内提供600W脉冲或连续波输出功率,MRFE6VP6300HR6则是一款增强型LDMOS功率晶体管,能够在从1.8MHz至600MHz范围内提供300W输出功率。

      MRFE6VP61K25HR6是一款增强型LDMOS晶体管,可在频率高达600MHz范围内提供1250W的额定脉冲和连续波输出功率,并且能够在负载失配相当于65.0:1的VSWR条件下正常工作。

      与其它飞思卡尔的“耐用型”器件一样,这些晶体管经过了以下耐用性认证:在频率为230MHz、10μs脉宽和20%占空比的脉冲条件下所有相位角可承受相当于65.0:1的VSWR的负载失配。这些器件的测试是在+50VDC电源和100mA静态漏电流条件下进行的。此外,晶体管还在输入功率电平等于两倍于额定最大输入功率电平的条件下对这些器件进行了评估,结果同样完好无损。

      这些大功率晶体管能以单端或推拉方式工作,它们实际上可工作在从30V至50V的电源下,因此具有很大的设计灵活性。封装对这些器件来说也很重要,因为在不利工作条件下,大部分输出功率将被反射进有源器件和周边的封装。

      虽然这种判断射频功率晶体管是否真正耐用的筛选方法似乎有些过分,但许多应用:包括射频切割、CO2激光、半导体处理设备、等离子发生器和核磁共振成像(MRI)系统等等可能就要求这样的耐用性。另外,大功率发射应用,特别是天线必须经受住各种不同环境应力(如雪和冰)的应用,可能经常会遭遇严重的负载失配情况。使用一组能“经受虐待”的晶体管可以极大地延长固态发射机的工作寿命。

      课程目标: 以项目实战的方式,一步一步教会大家这样一类(低速率,低功耗,近距离)市场里需求最旺盛

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      和特点 低功耗、窄带收发器 利用双VCO的频带范围: 80 MHz至650 MHz 842 MHz至916 MHz 可编程中频滤波器带宽为9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz 调制方式:2FSK、3FSK、4FSK、MSK 频谱整形方式:高斯和升余弦滤波 全自动频率控制环路(AFC) 片内集成7位ADC和温度传感器 片内集成VCO和小数N分频PLL 支持的数据速率:0.05 kps至24 kbps 2.3 V至3.6 V电源供电 可编程输出功率 −16 dBm至+13 dBm(63步) 自动功率放大器(PA)斜坡控制 接收机灵敏度: −130 dBm(100 bps、2FSK时) −122 dBm(1 kbps、2FSK时) 正在申请专利的片内镜像抑制校准 数字接收信号强度指示(RSSI) 集成收发(Tx/Rx)开关 关断模式下泄漏电流为0.1 μA 产品详情 ADF7021-N是一款基于ADF7021的高性能、低功率、窄带收发器,拥有9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz的中频滤波器带宽,完全符合各种全球窄带通信标准,尤其是那些要求12.5 kHz通道分离的标准。ADF7021-N可在窄带、免执照ISM频段以及80 MHz至650 MHz和842 MHz至916 MHz频率范围的特许执照频段内工作。该器件具有高斯和升余弦两种发送数据滤波选项,用以改善...

      和特点 单芯片、低功耗UHF发射机频段:902 MHz–928 MHz 片内VCO和小数N分频PLL 电源电压:2.3 V–3.6 V可编程输出功率:-16 dBm至+12 dBm,步进为0.3 dB 数据速率最高达76.8 kb/s低功耗:28 mA(8 dBm输出)掉电模式:小于1 µA 24引脚TSSOP封装 产品详情 ADF7010是一款低功耗OOK/ASK/FSK/GFSK UHF发射机,设计用于ISM频段系统,内置一个集成式VCO和Σ-Δ小数N分频PLL。输出功率、通道间隔和输出频率均可通过4个24位寄存器编程设置。利用小数N分频PLL,用户可以选择美国902 MHz - 928 MHz频段内的任何通道频率,从而可以将ADF7010用于跳频系统。可以从四种不同调制方案中进行选择:二进制或高斯频移键控(FSK/GFSK)、幅移键控(ASK)或开关键控(OOK)。该器件还有一个晶体补偿寄存器,它可以在输出频率中提供_1 ppm分辨率。利用该寄存器,能够以低成本实现对晶体的间接温度补偿。 四个片内寄存器通过一个简单的三线式接口进行控制。该器件采用2.3 V至3.6 V电源供电,不用时可以关断。 方框图...

      和特点 高性能、低功耗、窄带收发器 增强性能版 ADF7021-N, 带外部VCO 利用外部VCO的频带范围:80 MHz至960 MHz 与ADF7021-N相比,邻道功率(ACP)和邻道抑制(ACR)性能得到提升 可编程中频滤波器带宽:9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz 调制方式:2FSK、3FSK、4FSK、MSK 频谱整形方式:高斯和升余弦滤波 数据速率:0.05 kbps至24 kbps 电源电压:2.3 V至3.6 V 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7021-V是一款基于 ADF7021-N的高性能、低功率、窄带RF收发器,其架构与ADF7021-N相似,不同之处在于片内RF频率合成器采用了一个外部VCO,适合要求提高相位噪声性能的应用。ADF7021-V可在免执照ISM频段以及80 MHz至960 MHz特许执照频段内工作。为了尽量降低RF馈通和杂散发射,外部VCO以2倍或4倍的所需RF频率工作;ADF7021-V最高支持1920 MHz的VCO工作频率。可通过在RF频率合成器环路外部进行额外的片内二分频来对4倍VCO工作进行编程,提高相位噪声性能。与ADF7021-N接收器一样,ADF7021-V支持9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz的中频滤波器带宽,因而成为全球窄带遥测...

      和特点 输入电压范围:2.5 V至5.5 V 两个200 mA低压差电压调节器 16引脚、1.6 mm x 1.6 mm小型WLCSP封装 初始精度: ±0.7% 利用1 μF陶瓷输出电容便可稳定工作 过流和热保护 高电源电压抑制比 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADP5030内置两个高性能低压差(LDO)电压调节器、一个低导通电阻(RDSON)负载开关和电平转换逻辑,采用1.6 mm × 1.6 mm、16引脚小型WLCSP封装,可满足严苛的性能和电路板空间要求。ADP5030 LDO的低静态电流、低压差和宽输入电压范围可延长便携式设备的电池续航时间。在工作频率高达100 kHz时,ADP5030 LDO能保持60 dB以上的电源抑制性能,而所需的电压裕量则很低。针对LDO2和负载开关,可以将ADP5030配置为两种不同的激活模式;这些模式通过专用引脚(MSEL)进行选择。应用RF子系统GPS设备 方框图...

      和特点 超低 RMS 噪声:0.8μVRMS (10Hz 至 100kHz)超低点噪声:2nV/√Hz (在 10kHz)超高 PSRR:79dB (在 1MHz)输出电流:200mA宽输入电压范围:1.8V 至 20V单个电容器改善噪声和 PSRR100μA SET 引脚电流:±1% 初始准确度可由单个电阻器来设置输出电压高带宽:1MHz可编程电流限值低压差电压:350mV输出电压范围:0V 至 15V可编程电源良好快速启动能力高精度使能 / UVLO可并联多个器件以降低噪声和提供较高的电流具折返的内部电流限制最小输出电容器:4.7μF (陶瓷)反向电池和反向电流保护10 引脚 MSOP 封装和 3mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LT®3042 是一款高性能低压差线性稳压器,其采用 LTC 的超低噪声和超高 PSRR 架构以为对噪声敏感的 RF 应用供电。LT3042 被设计为后随一个高性能电压缓冲器的高精度电流基准,其可容易地通过并联以进一步降低噪声、增加输出电流和在 PCB 上散播热量。该器件可在 350mV 典型压差电压条件下提供 200mA。工作静态电流的标称值为 2mA,并在停机模式中减小至 1μA。LT3042 的宽输出电压范围 (0V 至 15V) 及保持单位增益操作的能力可提供几乎恒定的输出...

      和特点 低功耗、高性能、窄带收发器 频段:80-650MHz和862-940MHz 调制方式:2FSK、3FSK、4FSK 频谱整形方式:高斯和升余弦滤波 自动PA斜坡 支持的数据速率:0.05 kbps至25 kbps 可编程输出功率:-16dBm至+13dBm 低中频架构,可编程中频带宽:12.5/18.5/25kHz 2.3V至3.6V电源供电 接收机灵敏度:-123dBm (1kbps FSK) 全自动频率控制环路(AFC)补偿容差较低的晶振 高精度数字RSSI和集成Tx/Rx开关产品详情 ADF7021是一款低功耗、高度集成的2FSK/3FSK/4FSK收发器。该器件可在窄带、免执照ISM频段以及80 MHz至650 MHz和862 MHz至940 MHz频率范围的特许执照频段内工作。该器件具有高斯和升余弦两种数据滤波选项,用以改善窄带应用的频谱效率。它适合符合以下标准或法规的电路应用:欧洲ETSI EN 300-220标准、日本ARIB-T67标准、中国近程设备管理法规以及北美FCC Part 15、Part 90和Part 95监管标准。ADF7021只需少量外部分立器件便可构建一个完整的收发器,因此非常适合对价格和电路板面积敏感的应用。发射部分包含一个电压控制振荡器(VCO)和一个输出分辨率1 ppm的低噪声小数N分频PL...

      和特点 每个通道11位、250MSPS输出数据速率 使能NSR时的性能-- SNR:74.5 dBFS(55 MHz频段、最高90 MHz、250MSPS)-- SNR:72.0 dBFS(82 MHz频段、最高90 MHz、250 MSPS) 禁用NSR时的性能-- SNR:66.2 dBFS(最高90 MHz、250 MSPSS)--SFDR:85 dBc(最高185 MHz、250MSPS) 总功耗:535 mW (200 MSPS) 1.8 V模拟电源供电 1.8 V LVDS(ANSI-644电平)输出 1至8整数时钟分频器(最大输入频率625 MHz) ADC内部基准电压源 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 AD6643是一款11位、250 MSPS、双通道中频(IF)接收机,专门针对要求高动态范围性能、低功耗和小尺寸的电信应用中支持多天线系统而设计。该器件包括两个高性能模数转换器(ADC)和噪声整形再量化器(NSR)数字模块。各ADC采用多级、差分流水线架构,并集成了输出纠错逻辑。ADC差分流水线的第一级包含一个宽带宽开关电容采样网络。集成基准电压源可简化设计。占空比稳定器(DCS)补偿ADC时钟占空比的波动,使转换器保持出色的性能。各ADC的输出内部连接到NSR模块。集成NSR电路能够提高奈奎...

      和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:1000 MHz至3100 MHz 内部LO频率范围:1550 MHz至2150 MHz 输入P1dB:+12 dBm 输入IP3:+29 dBm 通过外部引脚优化IP3 SSB噪声系数:12 dB 电压转换增益:6 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6602是一款高动态范围有源混频器,集成PLL和VCO。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生FLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴相器。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。鉴相器输出控制一个电荷泵,其输出在片外环路滤波器中进行积分。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2*FLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在2至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。IF输出的工作频率最高可达500 MHz。ADRF6602采用先进的硅-锗BiCMOS工艺制造,提供40引脚、裸露...

      和特点 动态范围:116 dB 数字VGA I/Q解调器 有源低通滤波器 双通道宽带ADC 可编程抽取和通道滤波器 VCO和锁相环电路 串行数据输出端口产品详情 AD6650是一款分集中频至基带接收机,适用于GSM/EDGE。这款窄带接收机由一个集成DVGA、中频至基带I/Q解调器、低通滤波和一个双通道宽带ADC组成。该芯片可处理70 MHz至260 MHz的中频输入。接收机架构经过特别设计,整个接收信号路径只需要一个用于主信号的外部表面声波(SAW)滤波器和一个用于分集信号的滤波器,便可达到GSM/EDGE阻塞要求。片内数字抽取与滤波电路可消除目标通道之外的干扰信号和噪声。利用可编程RAM系数滤波器,只需一个经济高效的滤波器,便可实现抗混叠、匹配滤波和静态均衡三种功能。通道滤波器的输出通过串行输出I/Q数据流提供给用户。应用 PHS或GSM/EDGE单载波、分集接收机 微蜂窝和微微蜂窝系统无线本地环路 智能天线系统 软件无线电建筑物内无线电话数据手册,Rev. A,1/07方框图...

      和特点 集成小数N分频PLL的Rx混频器 RF输入频率范围:1100 MHz至3200 MHz 内部LO频率范围:2100 MHz至2600 MHz 输入P1dB:14.6 dBm 输入IP3:27 dBm 通过外部引脚优化输入IP3 SSB 噪声系数IP3SET引脚开路:14.2 dB IP3SET引脚3.3 V:15.2 dB 电压转换增益:6.9 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB 带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装产品详情 ADRF6603是一款高动态范围有源混频器,集成小数N分频锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO),用于内部混频器LO的产生。ADRF6603与ADRF6602共同构成了一个集成PLL/混频器系列,涵盖2100 MHz至2600 MHz频率范围。PLL基准输入支持12 MHz至160 MHz范围内的输入频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。环路滤波器输出再施加于一个集成式VCO。VCO输出(2× fLO)施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分...

      和特点 低相位噪声 独立的电荷泵电源VP 可提供扩展的调谐范围 2.6 V至3.3 V单电源供电 提供TSSOP和芯片级封装 可编程电荷泵电流 逻辑兼容性:1.8 V 低功耗(总IDD:7.0 mA) 可选双模预分频器值 ADF4219L是LMX2370的低相位噪声升级器件产品详情 ADF4218L频率合成器IC与VCO和环路滤波器一起使用时,可构成完整的锁相环(PLL)。这款ADI解决方案可以为无线应用中的RF信号上变频和下变频提供先进的本振(LO)。该PLL由低噪声数字鉴频鉴相器(PFD)、精密电荷泵、可编程参考分频器、可编程A和B计数器以及双模预分频器(P/P+1)组成。ADF4217L和ADF4218L分别是已经发布的ADF4217和ADF4218的低功耗改进版本,提供TSSOP和MLF (LFCSP)两种封装。ADF4219L是美国国家半导体公司的LMX2370的低相位噪声升级器件,并与之引脚兼容,提供TSSOP和MLF (Cason)两种封装。相关资料: 提供包含性能图表的完整数据手册,新闻稿,2002年2月1日发布的ADISimPLL中包含的电路仿真,评估板和软件。 方框图...

      和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...

      和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...

      和特点 有线电视和地面应用的理想选择−3 dB带宽:2.4 GHz1 dB平坦度:54 MHz至865 MHz低噪声系数:4.6 dB低失真复合二次失线 dBc复合三次差拍(CTB):−72 dBc标称增益:每个输出通道3 dB输出与输出间隔离:25 dB(50 MHz至1000 MHz)75 Ω输入和输出小尺寸封装:16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装 产品详情 ADA4304-3/ADA4304-4是75 Ω有源分路器,适用于要求无损信号分离的应用。典型应用包括多调谐器数字机顶盒、有线分路器模块、多调谐器/支持数字有线功能(DCR)的电视以及家庭网关。对于这些应用,传统解决方案要求采用分立无源分路器模块以及独立的固定增益放大器。        ADA4304-3/ADA4304-4采用ADI公司专有的硅-锗(SiGe)互补双极性工艺制造,可实现极低的失线 dB。该器件是一种低成本替代解决方案,它将信号分路器元件和增益模块集成于单芯片中,从而得以简化设计、改善系统性能。ADA4304-3/ADA4304-4采用16引脚LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。应用机顶盒家庭网关有线电视分配系统分路器模块支持数字有线功能(DCR)的电...

      和特点 3 dB带宽:2.2 GHz (AV = 12 dB) 单电阻可编程增益  0 dB ≤ AV≤ 26 dB 差分接口 低噪声输入级:2.7 nV/√Hz (AV = 10 dB) 低谐波失线 MHz) OIP3:31 dBm (70 MHz) 单电源供电: 3 V至5.5 V 低功耗: 28 mA (5 V) 可调输出共模电压 快速建立和过驱恢复 压摆率:13,000 V/μs 省电功能 产品详情 AD8351是一款完全差分放大器,可用于在通信收发器中,以中频频率驱动高分辨率(10-14位)/高速ADC (240 MSPS)。AD8351简化了ADC驱动,用户可以通过一个外部电阻调整增益(最高26 dB),同时集成了输出共模调整电路,以降低输入ADC中的驱动电平。AD8351是一种极低失真增益级,同时具有低噪声和宽增益带宽特性,因而非常适合数字通信中频接收机使用。该器件可以在多种常用中频频率70/140/240 MHz下工作。关于驱动12/14位分辨率ADC以及用该器件进行单端至差分信号转换的详细电路信息,参见AD8351产品数据手册。AD8351采用先进的硅双极性工艺制造,以3 V或5 V单电源供电,提供节省空间的10引脚微型SOIC封装,额定温度范围为–40ºC至+...

      和特点 固定增益:24.1 dB 在30 MHz至6 GHz范围内提供宽带操作 输入/输出内部匹配50 Ω 集成偏置控制电路 OIP3:36.4 dBm (900 MHz) P1dB:18.1 dBm (900 MHz) 噪声系数:2.9 dB (900 MHz) 5V单电源供电 低静态电流:56 mA 宽工作温度范围:-40℃至+105℃ 高效散热型SOT-89封装 ESD额定值:±1.5 kV(1C类) 产品详情 ADL5545是一款单端RF/IF增益模块放大器,可在30 MHz至6 GHz范围内提供宽带操作。采用5 V电源供电时,ADL5545功耗仅为56 mA,OIP3超过36dBm。ADL5545具有24 dB增益,增益不随频率、温度、电源、器件而变化。该放大器采用工业标准SOT-89封装,在输入和输出内部匹配50 Ω,能够简单地使用于各种不同的应用中。所需的外部元件只有输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和直流偏置电感。ADL5545采用InGaP HBT工艺制造而成,ESD额定值为±1.5 kV(1C类)。额定温度范围为−40℃至+105℃的宽温度范围,并提供配置齐全且符合RoHS标准的评估板。 方框图...

      和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...

      和特点 JESD204B Subclass 0或Subclass 1编码串行数字输出 信噪比(SNR):71.9 dBFS(185 MHz AIN,250 MSPS,NSR设为33%) 无杂散动态范围(SFDR):87 dBc(185 MHz AIN,250 MSPS) 总功耗:435 mW (250 MSPS) 1.8 V电源电压 1至8整数输入时钟分频器 采样速率最高达250 MSPS 中频采样频率最高达400 MHz 模数转换器(ADC)内置基准电压源 灵活的模拟输入范围-- 1.4 V p-p至2.0 V p-p(标称值1.75 V p-p) ADC时钟占空比稳定器(DCS) 串行端口控制 节能的掉电模式 产品详情 AD6677是一款11位、250 MSPS中频(IF)接收机,专门针对要求高动态范围性能、低功耗和小尺寸的电信应用中支持多天线系统而设计。该器件包括高性能模数转换器(ADC)和噪声整形再量化器(NSR)数字模块。ADC由多级、差分流水线架构组成,并集成了输出纠错逻辑,每个ADC差分流水线的第一级包含一个宽带宽开关电容采样网络。集成基准电压源可简化设计。占空比稳定器(DCS)补偿ADC时钟占空比的波动,使转换器保持出色的性能。ADC的输出内部连接到NSR模块。集成NSR电路能够提高奈奎斯特带宽内较小频...

      和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...

      天线可能是RF设计中最容易被忽视的部分,但RF链路的范围,性能和合法性严重依赖它。无论如何,天线选择...

      赛灵思 RFSoC 产品系列,是行业唯一一款可满足当前及未来行业需求的单芯片自适应射频平台。

      我们的家庭,办公室和工厂几乎没有使用嵌入式设备,因为它没有某种形式的无线通信。当我们开车,锻炼自行车...

      智能能源的商业驱动力很容易理解;估计节省1千瓦时电力的成本约为1.7美分,而生产1千瓦时的成本现在被...

      RF GaN已被工业公司认可并成为主流。从知识产权的角度来看,美国和日本主导着整个RF GaN知识产...

      然而,在许多系统中,RF信号不可避免地具有跨越30,40或更多dB的宽动态范围;一些设计必须处理范围...

      但是,这并不止于此。 并排停放的汽车能以更高的分辨率利用这种技术,并在软件中构建三维模型。 启发式算...

      带有小盒子或工具包的孩子可以制造和使用干扰器来惹恼父母,学校和类似的混乱的形式。公司可以使用干扰器来...

      RF电路设计的主要困难之一是保持天线和收发器之间的良好匹配。在实验室中调整系统可能很方便,但实验室中...

      在选择天线或天线设计并定义机械规格之前无线产品产品设计师必须清楚地了解产品必须达到的RF性能目标,以...

      小型用户设备的天线设计多年来一直依赖于不平衡设计的使用 - 通常是单极天线和倒L天线的巧妙变体。随着...

      由于高度集成的单芯片RF解决方案的出现,设计射频(RF)遥控器从未如此简单。片上系统(SoC)发送器...

      目前,氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用,其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透,而且...

      包含多个无线电和多个天线的手机和其他无线系统通常共享一些天线,以减少系统混乱。最新的射频开关为设计人...

      本文适用于将RF纳入符合Part 15标准的设计的设计人员。它旨在让读者对天线的功能,操作特性和评估...

      由于支持无线通信系统的芯片复杂性增加,开发板和评估模块提供了快速检查芯片性能和功能的方法。这些电路板...

      随着转换器技术的改进,即使在高速运行时也能准确地解决非常高的中频(IF)。这带来了两个挑战:转换器设...

      调查的所有供应商中没有任何一家在发送紧急停机(E-Stop)数据包时运用了加密或特殊传输协议。 广泛...

      射频微机电系统(RF MEMS)是MEMS技术的重要应用领域之一,也是二十世纪九十年代以来MEMS领...

      许多雷达系统要求低相位噪声以最大限度抑制杂波。高性能雷达需要特别关注相位噪声,导致在降低频率合成器的...

      无线正迅速成为人机界面的首选技术。用户更频繁地需要能够波动远程控制单元以对系统进行更改。本文介绍了可...

      用于RF低功率应用的半导体开关被广泛使用并且是一种众所周知的技术。重要的是要注意低功率警告,因为高功...

      对于发射机的功率放大器(PA)来说,由于其需要在应对最新蜂窝标准所用复杂宽带调制方案所需高峰值平均功...

      日常生活中的电子设备越来越多了,它们都需要某种形式的电源才能维持正常工作。幸运的是,我们周围存在很多...

      远程电池监控子系统将基于MCU的电池监控和无线通信功能与低功耗RF收发器或具有集成无线功能的MCU相...

      集成式RF和微波检波器具有众多优势。集成式温度补偿电路提供即用型输出电压,其在宽温度范围内可以稳定在...

      随着我们将运动鞋,冰箱,咖啡机和我们的心脏起搏器和门锁等所有东西连接起来,限制访问机密信息等安全问题...

      要了解直接RF架构,则需要了解该架构与其他RF架构的区别。在外差结构中,接收器接收RF频率的信号之后...

      射频同轴连接器必须跟电热器压线端子上的导线是对应,以免发生短路事故。未紧密烧结的陶瓷材料、万博手机客户端,类似材料不...

      电路板系统的互连包括:芯片到电路板、PCB板内互连以及PCB与外部器件之间的三类互连。

      目前,在网络技术、智能设备技术等先进技术的支撑下,家庭内部出现以网络为平台,以智能电子设备为终端,构...

      顾名思义,锁相环(PLL)使用鉴相器比较反馈信号与参考信号, 将两个信号的相位锁定在一起。

      能量采集技术是指通过把如热电、振动、运动、太阳能等产生的但尚未利用的能量回收并转化为电能,代替电池为...

      据悉,佳能首款全画幅微单RF镜头会是一款采用DO衍射光学镜片的绿圈镜头,不过具体的规格未知。另外,佳...

      全球无线和广播基础设施领域专家安弗施无线射频系统公司(RFS)日前宣布,推出2款新型号的天线APXV...

      面对5G芯片龙头企业之一的高通杀入射频模组市场,Qorvo将如何应对新的市场竞争?伴随着中国三大运营...

      然而,由于最新蜂窝标准中所用复杂调制方案的峰值平均功率比(PAR)较高,转而要求发射机PA具有高平均...

      光通讯模组厂光圣近日召开法说会,公司表示,5G 商转在即,对光收发模组需求大增,营运可望受惠,RF ...

      该视频展示了16nm FinFet器件的性能,并讨论了Xilinx RFSoC技术如何减少占位面积和...

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